IT之家 1 月 5 日音尘，好意思国劳伦斯利弗莫尔国度实验室（LLNL）正在研发一种基于铥元素的拍瓦（petawatt）级激光时候，该时候有望取代现时极紫外光刻（EUV）器具中使用的二氧化碳激光器，并将光源效能进步约十倍。这一冲破可能为新一代“荒芜 EUV”的光刻系统铺平谈路，从而以更快的速率和更低的能耗制造芯片。

　　现时，EUV 光刻系统的能耗问题备受眷注。以低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）EUV 光刻系统为例，其功耗永别高达 1,170 千瓦和 1,400 千瓦。这种高能耗主要源于 EUV 系统的职责旨趣：高能激光脉冲以每秒数万次的频率挥发锡滴（50 万摄氏度），以造成等离子体并放射 13.5 纳米波长的光。这一历程不仅需要高大的激光基础设施和冷却系统，还需要在真空环境中进行以幸免 EUV 光被空气经受。此外，EUV 器具中的先进反射镜只可反射部分 EUV 光，因此需要更强盛的激光来提高产能。

　　IT之家注释到，LLNL 主导的“大口径铥激光”（BAT）时候旨在料理上述问题。与波长约为 10 微米的二氧化碳激光器不同，BAT 激光器的职责波长为 2 微米，表面上大略提高锡滴与激光互相作用时的等离子体到 EUV 光的调遣效能。此外，BAT 系统收受二极管泵浦固态时候，相较于气体二氧化碳激光器，具有更高的举座电效能和更好的热管贤惠力。

　　领先，LLNL 的商议团队意料将这种紧凑且高相易率的 BAT 激光器与 EUV 光源系统磋磨，测试其在 2 微米波长下与锡滴的互相作用后果。LLNL 激光物理学家布伦丹 里根（Brendan Reagan）示意：“畴前五年中，咱们一经完成了表面等离子体模拟和观念考说明验，为这一情势奠定了基础。咱们的职责一经在 EUV 光刻范围产生了紧要影响，当今咱们对下一步的商议充满期待。”

　　联系词，将 BAT 时候诳骗于半导体坐蓐仍需克服紧要基础设施蜕变的挑战。现时的 EUV 系统经过数十年才得以训诫，因此 BAT 时候的践诺诳骗可能需要较万古期。

　　据行业分析公司 TechInsights 展望赌钱赚钱官方登录，到 2030 年，半导体制造厂的年耗电量将达到 54,000 吉瓦（GW），向上新加坡或希腊的年用电量。若是下一代超数值孔径（Hyper-NA）EUV 光刻时候进入商场，能耗问题可能进一步加重。因此，行业对更高效、更节能的 EUV 机器时候的需求将合手续增长，而 LLNL 的 BAT 激光时候无疑为这一主张提供了新的可能性。